[发明专利]一种铝互连线及其制备方法无效
| 申请号： | 201110367827.2 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103123909A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 卜维亮;赵强;李晓丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及铝互连线及其制备方法。本发明所提供的方法包括以下步骤：以第一薄膜沉积工艺在衬底上沉积钛层；以第二薄膜沉积工艺在所述钛层上沉积氮化钛层；在所述氮化钛层上沉积含铝的金属层；以及在所述金属层上沉积钛/氮化钛层；其中所述第一薄膜沉积工艺与所述第二薄膜沉积工艺在两个不同的腔室中进行。本发明还提供了采用该方法制备的铝互连线。不同于现有技术，本发明采用两个腔体分别沉积钛和氮化钛，从而消除了由于氮化钛的存在而造成的钛纯度不高的影响。通过例如离子化金属电浆工艺，使得钛的纯度大大提高，从而具有很强的（002）取向，由此大大增强了铝的（111）取向，降低了电迁移现象发生的可能性，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备铝互连线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以第一薄膜沉积工艺在衬底上沉积钛层；以第二薄膜沉积工艺在所述钛层上沉积氮化钛层；在所述氮化钛层上形成含铝的金属层；以及在所述金属层上形成钛/氮化钛层；其中所述第一薄膜沉积工艺与所述第二薄膜沉积工艺在两个不同的腔室中进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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