[发明专利]芯片结合设备无效
| 申请号： | 201110368885.7 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102842521A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 罗伟诚;陈明堂;周庭羽;吴荣昆;姜崇义 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片结合设备，其包括一腔室、一芯片移转装置、一加热装置以及一通气装置。芯片移转装置用以移转至少一芯片至于腔室内的一载板上。加热装置用以加热腔室内的至少一芯片及/或载板。通气装置使气体连通腔室，其中当芯片移转装置移转至少一芯片于腔室内的载板上时提供一负压环境，并于加热至少一芯片及/或载板时施加一正向压力于至少一芯片上。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结合 设备 | ||
【主权项】：
一种芯片结合设备，包括：一腔室；一芯片移转装置，用以移转至少一芯片至于该腔室内之一载板上；一加热装置，用以加热该腔室内的该至少一芯片及/或该载板；以及一通气装置，使气体连通该腔室，其中当该芯片移转装置移转该至少一芯片于该腔室内的该载板上时提供一负压环境，并于加热该至少一芯片及/或该载板时施加一正向压力于该至少一芯片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
