[发明专利]镍靶坯及靶材的制造方法无效
| 申请号： | 201110370509.1 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102400073A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C21D8/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种镍靶坯及靶材的制造方法，所述镍靶坯的制造方法包括：提供镍锭；对所述镍锭进行锻造；对锻造后的镍锭进行压延，形成镍靶坯；对所述镍靶坯进行退火，所述退火的温度为300℃～500℃，保温时间为1～2h。本发明技术方案制造的镍靶坯内部组织比较均匀，晶粒细小，且采用所述镍靶坯制造半导体用镍靶材，溅射镍靶材形成的薄膜的质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 镍靶坯 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种镍靶坯的制造方法，其特征在于，包括：提供镍锭；对所述镍锭进行锻造；对锻造后的镍锭进行压延，形成镍靶坯；对所述镍靶坯进行退火，所述退火的温度为300℃～500℃，保温时间为1～2h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料有限公司，未经宁波江丰电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110370509.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
