[发明专利]半导体装置的制法、基材穿孔制程及其结构无效
| 申请号： | 201110370965.6 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102479766A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林佳昇;陈键辉;陈秉翔;洪子翔 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制法、基材穿孔制程及其结构。基材穿孔结构包括一半导体基材、一金属层、一第一绝缘层以及一第二绝缘层。半导体基材具有一背面以及一贯穿半导体基材的通孔。金属层配置于半导体基材上，且显露于通孔的底部。第一绝缘层形成于半导体基材的背面，第一绝缘层具有一开口，开口与通孔相连通。第二绝缘层形成于第一绝缘层上，且部分第二绝缘层延伸至开口以及通孔中，以形成一沟槽绝缘层。沟槽绝缘层的底部经回蚀而于通孔的转角处形成一底脚。底脚的高度小于第一绝缘层以及第二绝缘层的高度和。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制法 基材 穿孔 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种基材穿孔结构，包括：一半导体基材，其具有一背面以及贯穿该半导体基材背面的通孔；金属层，配置于该半导体基材上，且显露于该通孔；一第一绝缘层，其形成于该半导体基材的背面，该第一绝缘层具有与该通孔相连通的开口；以及一第二绝缘层，其形成于该第一绝缘层上，且部分该第二绝缘层延伸至该开口的壁面上以及该通孔的壁面上，以形成一沟槽绝缘层，该沟槽绝缘层经回蚀而于该通孔与该金属层所形成的转角处形成底脚，且该底脚的高度小于该第一绝缘层以及该第二绝缘层的高度和。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司，未经精材科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110370965.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
