[发明专利]具有可独立编程自由层畴的多位磁存储器无效
| 申请号： | 201110371575.0 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543180A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | X·娄;Z·高;D·V·季米特洛夫 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于诸如多位磁性随机存取存储单元的非易失性存储单元的装置和相关联的方法。根据各种实施列，磁性隧道结(MTJ)具有铁磁自由层，铁磁自由层带有各自可独立编程至预定磁化的多磁畴。那些磁化以后可以读取为MTJ的不同逻辑形态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 编程 自由 磁存储器 | ||
【主权项】：
一种存储单元，包括具有铁磁自由层的磁性隧道结(MTJ)，所述铁磁自由层具有多个磁畴，所述多个磁畴各自可独立编程至被读取为MTJ的逻辑状态的预定磁化。
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