[发明专利]FinFET器件制造方法有效
| 申请号： | 201110372141.2 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123899A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件制造方法，在鳍形沟道区原本位置处形成鳍形应变锗硅沟道，保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，增大了沟道应力，提高了FinFET器件的驱动电流；同时，沙漏状的鳍形应变锗硅沟道比条状的宽长比更高，包括应变锗硅层和应变碳硅层的鳍形应变硅沟道的应力性能更高，以此获得的FinFET器件的驱动电流更高。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延硅层；图案化所述外延硅层，形成FinFET基体，所述FinFET基体包括源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区；形成围绕在所述沟道区两侧和上方的多晶硅虚拟栅极结构；在所述半导体衬底与FinFET基体上方沉积介质层，并化学机械平坦化至多晶硅虚拟栅极结构顶部；以所述介质层为掩膜，移除所述多晶硅虚拟栅极结构及其下方的预定义厚度的外延硅层，形成沟道开口；沿所述沟道开口的两侧壁横向外延生长SiGe层，对所述SiGe层进行Si和/或Ge离子的等离子体非晶化表面注入；重结晶退火，形成应变硅沟道；形成围绕在所述应变硅沟道两侧和上方的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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