[发明专利]基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列以及其操作方法有效
| 申请号： | 201110372160.5 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123804A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;李慧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明解决了传统的1T1C DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS HfOx high k metal gate技术兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阻变栅 介质 1.5 动态 存储 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线，连接到所述晶体管的漏极；源线，连接到所述晶体管的源极；其特征在于，所述的存储单元中，包括读管(201)，起到选通、限流的作用，编程部件(202)，位线(203)，(204)代表(201)的字线，即读字线，(205)代表编程字线，栅极(206)使用具有阻变特性材料，如HfOx。
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