[发明专利]具有由划片槽限定的薄片的半导体结构有效
申请号: | 201110372606.4 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102442636A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | T·考奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B3/00;G01L9/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;王忠忠 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了具有由划片槽限定的薄片的半导体结构。一种用于制造半导体结构的方法包括:在衬底中蚀刻第一开口;在所述衬底中蚀刻芯片划片槽以限定在所述第一开口和所述芯片划片槽之间的薄片;制造用于感测所述薄片的偏转的感测元件;以及在所述芯片划片槽处对所述半导体结构进行划片。 | ||
搜索关键词: | 具有 划片 限定 薄片 半导体 结构 | ||
【主权项】:
一种用于制造半导体结构的方法,所述方法包括:在衬底中蚀刻第一开口;在所述衬底中蚀刻芯片划片槽以限定在所述第一开口和所述芯片划片槽之间的薄片;制造用于感测所述薄片的偏转的感测元件;以及在所述芯片划片槽处对所述半导体结构进行划片。
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