[发明专利]一种摆率增强电路以及集成该电路的低压差线性稳压器

摘要

本发明公开了一种摆率增强电路以及集成该电路的低压差线性稳压器。本发明的摆率增强电路包括PMOS管M1、M4、M6、M7、M8和NMOS管M2、M3、M5、M9、M10及电阻R3和电容C3，在输入端有跳变电压时，摆率增强电路输出端会产生大的输出或者吸收电流。集成了摆率增强电路的低压差线性稳压器在输出电压发生跳变时，能够在极短的时间内为调整管的栅极提供大的充电和放电电流，使调整管的栅电压能够得到快速的变化，从而大大提高了LDO电路的摆率，减小了输出电压尖峰。

主权项

一种摆率增强电路，其特征在于，包括，PMOS管M1、M4、M6、M7、M8和NMOS管M2、M3、M5、M9、M10及电阻R3和电容C3，其中，PMOS管M1、M4、M6的栅极均连接外部的第一偏置电压，源极连接外部电源电压，漏极分别连接M2、M3、M5的漏极；PMOS管M7、M8的栅极均连接到M7的漏极，源极均连接外部电源电压，M7的漏极连接到M5和M6的漏极，M8的漏极连接M10的漏极作为摆率增强电路的输出端；NMOS管M2、M3、M5的源极均连接地，M2的漏极连接M1漏极和M2的栅极及R3的一端，电阻R3的另一端连接NMOS管M3的栅极和NMOS管M5的栅极，M3、M5的漏极分别连接M4、M6的漏极，M2的栅极连接M2和M1的漏极；NMOS管M9、M10的源极均接地，M9的漏极和M9及M10的栅极相连又连接到M3和M4的漏极，M10的漏极连接M8的漏极作为摆率增强电路的输出端；电容C3的一端连接NMOS管M3的栅极，另一端作为摆率增强电路的输入端。