[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201110373068.0 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102354658A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/77;H01L29/786;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极6、漏极电极5、栅极电极4、栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物作为前述沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包括形成漏极电极；形成源极电极；于接触漏极电极和源极电极之间，在含有氧气的气氛中通过气相成膜法予以形成含有In、Ga、Zn结晶状态的组成为以InGaO3(ZnO)m表示的非晶形氧化物薄膜作为沟道层，原子数比是In∶Ga∶Zn＝1∶1∶m；其中m＜6；前述气相成膜法是在不添加供提高电阻而用的杂质离子的含有氧气的气氛中，且在氧气分压下形成的非晶形氧化物薄膜，所述薄膜在室温的电子移动度是0.1cm2/(V·秒)以上，电子载流子厚度1016/cm3以下，传导系数10 2Scm 1以下，前述非晶形氧化物是含有In、Ga、Zn结晶状态的组成为以InGaO3(ZnO)m表示的氧化物，原子数比是In∶Ga∶Zn＝1∶1∶m；其中m＜6。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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