[发明专利]操作图案形成装置的方法和光刻设备有效
申请号: | 201110373265.2 | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN102540700A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | V·普洛斯因特索夫;W·J·维尼玛;K·Z·特鲁斯特;A·M·范德维伦 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的焦距。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有以衬底上的光刻设备的焦距的不同函数变化的相对的侧壁角之间具有不对称的至少一个特征。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上产生的光谱并由所测光谱确定特征的每一个的不对称的比值。使用所确定的比值和每一个特征的焦距和侧壁不对称之间的关系以确定衬底上的焦距。 | ||
搜索关键词: | 操作 图案 形成 装置 方法 光刻 设备 | ||
【主权项】:
一种操作图案形成装置的方法,所述图案形成装置具有图案化部分,所述图案化部分在操作中用辐射束照射以便将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,所述方法包括:(a)在所述图案形成装置的外周部分内设置围绕所述图案化部分分布的多个参考标记并且测量所述标记相对于彼此的位置;(b)在图案形成装置的操作周期之后,再次测量所述外周标记的位置;(c)通过参考所述外周标记的测量位置,计算在所述图案形成装置的所述图案化部分内感兴趣的一个或多个位置处由所述辐射束加热所述图案形成装置引起的局部位置偏差。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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