[发明专利]操作图案形成装置的方法和光刻设备有效

专利信息
申请号: 201110373265.2 申请日: 2011-11-22
公开(公告)号: CN102540700A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: V·普洛斯因特索夫;W·J·维尼玛;K·Z·特鲁斯特;A·M·范德维伦 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的焦距。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有以衬底上的光刻设备的焦距的不同函数变化的相对的侧壁角之间具有不对称的至少一个特征。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上产生的光谱并由所测光谱确定特征的每一个的不对称的比值。使用所确定的比值和每一个特征的焦距和侧壁不对称之间的关系以确定衬底上的焦距。
搜索关键词: 操作 图案 形成 装置 方法 光刻 设备
【主权项】:
一种操作图案形成装置的方法,所述图案形成装置具有图案化部分,所述图案化部分在操作中用辐射束照射以便将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,所述方法包括:(a)在所述图案形成装置的外周部分内设置围绕所述图案化部分分布的多个参考标记并且测量所述标记相对于彼此的位置;(b)在图案形成装置的操作周期之后,再次测量所述外周标记的位置;(c)通过参考所述外周标记的测量位置,计算在所述图案形成装置的所述图案化部分内感兴趣的一个或多个位置处由所述辐射束加热所述图案形成装置引起的局部位置偏差。
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