[发明专利]增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法无效
| 申请号： | 201110374168.5 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102437053A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | M·柏西留;谢利群;V·佐布库夫;舍美叶;I·罗弗劳克斯;H·姆塞德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/8238;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 pecvd 氮化 硅膜层 压缩 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氮化硅的方法，该方法包含：配置含表面的基板于制程室中；及将于所述制程室内的所述表面于含氢等离子中曝露于含硅前导物，而将氧化硅沉积于所述表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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