[发明专利]半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法无效
| 申请号： | 201110374967.2 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137441A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法，包括如下步骤：(1)提供一需要制作细长型孤立线条图形的基片；(2)在所述基片上进行可显影底部抗反射材料的旋涂和烘烤；(3)进行光刻胶的旋涂和烘烤；(4)曝光及显影，形成类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影底部抗反射材料的组合图形；(5)使用低温淀积或低温溅射的方法生长一层薄膜层；(6)使用光刻胶剥离液去除光刻胶和可显影底部抗反射材料，同时去除光刻胶上面的薄膜层，而保留基片上的薄膜层，形成细长型孤立线条。本发明可解决用传统光刻和刻蚀方法制作细长型孤立线条时容易发生的图形倒塌问题，可获得长宽比＞30，且线宽＜0.6微米的细长型孤立线条。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 制作 细长 孤立 线条 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法，其特征在于，采用光刻胶剥离工艺且在该工艺中引入可显影底部抗反射材料来获得所需的细长型孤立线条，该方法包括如下步骤：(1)提供一需要制作细长型孤立线条图形的基片；(2)在所述基片上进行可显影底部抗反射材料的旋涂和烘烤；(3)进行光刻胶的旋涂和烘烤；(4)曝光及显影，去除曝光部分光刻胶和可显影底部抗反射材料，形成类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影底部抗反射材料的组合图形；(5)使用低温淀积或低温溅射的方法在基片及光刻胶图形上生长一层相互断开的薄膜层；(6)使用光刻胶剥离液去除光刻胶和可显影底部抗反射材料，同时去除光刻胶上面的薄膜层，而保留基片上的薄膜层，形成细长型孤立线条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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