[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110374972.3 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102437194A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张其国;汪梅林;韩学斌;朱棋锋;申剑锋 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，所述保护层分为第一保护层和第二保护层两层，第一保护层覆盖在沟道层和栅绝缘层上面，第二保护层覆盖在第一保护层上面，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层。本发明还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。本发明的技术方案，能使金属氧化物薄膜晶体管电学特性比较稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，其特征在于，所述保护层分为第一保护层和第二保护层两层，第一保护层覆盖在沟道层和栅绝缘层上面，第二保护层覆盖在第一保护层上面，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层。
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