[发明专利]铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器有效
申请号: | 201110375437.X | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN103130502A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 野口毅;樱井英章;藤井顺;渡边敏昭;曽山信幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/491;C04B35/622 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态,即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中,0.9<x<1.3,0≤y<0.1,0≤z<0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态,其中,层叠2~23层的烧成层而构成,烧成层的厚度t为45~500nm,烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200~5000nm,烧成层均满足1.5t<x<23t的关系。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 使用 电容器 | ||
【主权项】:
一种铁电薄膜,其采取如下形态,即由选自Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物B混合在由通式:(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3所示的复合金属氧化物A中的混合复合金属氧化物的形态,式中,0.9<x<1.3,0≤y<0.1,0≤z<0.9,金属氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0≤B/A<0.1,其特征在于,层叠2~23层的烧成层而构成,所述烧成层的厚度t为45~500nm,所述烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200~5000nm,所述烧成层均满足1.5t<x<23t的关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社,未经三菱综合材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110375437.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造半导体器件的方法
- 下一篇:高速共享控制信道的功率分配方法及系统