[发明专利]一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法

摘要

本发明涉及一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法，包括以下制作步骤：在P型欧姆接触层表面上方形成P型金属欧姆接触层；将发光二极管芯片分割出多个独立单元，其中在发光二极管芯片两个端部的单元成为半导体电阻形成区；将其余多个独立单元形成多个发光二极管形成区；通过绝缘介质膜将在发光二极管芯片上形成左侧半导体电阻、右侧半导体电阻和多个发光二极管;将左侧半导体电阻、多个发光二极管以及右侧半导体电阻的各个电极通过金属合金层进行串联连接。本发明方法可以将发光二极管芯片制作成多个发光二极管以及半导体电阻，因而不再需要与专门的整流电路和外加电阻配合使用，大大降低了照明灯具生产成本以及电路连接的复杂性。

主权项

一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法，发光二极管芯片从下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）以及P型欧姆接触层（8），包括以下制作步骤：步骤1：在P型欧姆接触层（8）表面上方形成P型金属欧姆接触层（9）；步骤2：将发光二极管芯片分割出多个独立单元，其中在发光二极管芯片两个端部的单元成为半导体电阻形成区；步骤3：将其余多个独立单元形成多个发光二极管形成区；步骤4：通过绝缘介质膜（13）将在发光二极管芯片上形成左侧半导体电阻（R1）、右侧半导体电阻（R2）和多个发光二极管（L1、L2、L3）;步骤5：将左侧半导体电阻（R1）、多个发光二极管以及右侧半导体电阻（R2）的各个电极通过金属合金层（16）进行串联连接。