[发明专利]一种用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法

摘要

一种用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法，将氯化亚钐加入油胺中得溶液A；向溶液A中加入单质硫得溶液B；用氨水调节溶液B的pH值至2.0-5.0得前驱液C；将前驱液C置于烧杯中，再将功能化后的硅基板置于前驱液C中，在真空干燥箱中沉积，将沉积好的薄膜浸入到前驱液C中，放入水热釜中热处理后取出，用氮气吹干得硫化钐薄膜。本发明采用液相自组装方法，以硫单质作为硫源制备硫化钐薄膜，制得的薄膜，均匀，致密，低缺陷，强度高，并且通过控制前驱液浓度、pH值以及沉积时间可以控制薄膜厚度和晶粒大小。这种方法制备的硫化钐纳米薄膜重复性高，易于大面积制膜。且操作方便，原料易得，制备成本较低。

主权项

一种用单质硫作为硫源制备硫化钐薄膜的方法，其特征在于：1)取0.2‑2.0g的氯化亚钐(SmCl2)置于烧杯中，向烧杯中滴加5‑80mL的油胺加热搅拌使其均匀溶解得溶液A；2)向溶液A中加入1.00‑10.00g分析纯的单质硫，加热并搅拌均匀得溶液B；3)用氨水调节溶液B的pH值至2.0‑5.0得前驱液C；4)将羟基化的硅基板置于体积浓度为1～1.5％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室温下浸泡30～60min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛中，于100～110℃干燥10～30min得OTS硅基板；5)将干燥的OTS硅基板放在紫外线照射仪中，紫外光辐射波波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～2cm，照射20～60min，使OTS头基的烷基在紫外光的光激发下进行羟基化转变，得到OTS功能化后的硅基板；6)将功能化后的硅基板置于前驱液C中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在60～150℃下沉积1‑50h制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中100～150℃干燥10～20min得硫化钐纳米薄膜。