[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置

摘要

一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。

主权项

一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，其包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待处理的基片，其特征在于：所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑，在此位置下，所述支撑部的支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面的至少部分相接触，并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架。