[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及装置和一种制备方法无效
| 申请号： | 201110375847.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102386237A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/316 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛;田夏 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管、阵列基板及装置和一种制备方法。一种薄膜晶体管，包括导电金属层，所述金属层表面形成有绝缘的氧化层。本发明由于对金属层表面进行氧化处理，形成绝缘的氧化层，该氧化层可以替代氮化硅作为薄膜晶体管的阻挡层，相比制备氮化硅阻挡层需要机台及物料成本，制备氧化层的设备便宜、而且无需增加额外的物料，因此可以节约成本。另外氧化层只存在于金属层表面，对光线的阻隔少，对穿透率要求不高，因此工艺控制相对简单，可以进一步降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括导电金属层，其特征在于，所述金属层表面形成有绝缘的氧化层。
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