[发明专利]一种垂直结构LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201110376631.X | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102403434A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;金豫浙;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层以及金属反射层；提供第二衬底，将所述第一衬底倒置于所述第二衬底上，并利用金属焊料层将所述第二衬底的一面与金属反射层键合固定；将所述第二衬底的另一面固定于一载台上；对所述第一衬底和缓冲层进行初步粗磨和物理研磨，直至剩余部分第一衬底，剩余的第一衬底厚度小于10um；对所述第一衬底进行化学机械研磨，直至暴露所述N型氮化镓层。本发明能够提高垂直结构LED芯片在剥离衬底时生产效率和芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层以及金属反射层；提供第二衬底，将所述第一衬底倒置于所述第二衬底上，并利用金属焊料层将所述第二衬底的一面与金属反射层键合固定；将所述第二衬底的另一面固定于一载台上；对所述第一衬底进行初步粗磨和物理研磨，直至剩余部分第一衬底，剩余的第一衬底厚度小于10um；对所述第一衬底和缓冲层进行化学机械研磨，直至暴露所述N型氮化镓层。
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