[发明专利]边射型半导体激光元件、其制作方法及具有该元件的晶条有效

专利信息
申请号: 201110376837.2 申请日: 2011-11-23
公开(公告)号: CN103138157A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 陈保昇;郑聪杰;游原振 申请(专利权)人: 光环科技股份有限公司
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30;H01S5/028
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种边射型半导体激光元件,该边射型激光元件包含一第一端面及一相反于该第一端面的第二端面,该边射型半导体激光元件包含一半导体基板、一半导体层、一第一电极层、至少一凸柱、一第一反射层及一第二反射层。该半导体层包含依序设置于该半导体基板上方的第一披覆层、一主动层及一第二披覆层,该第二披覆层具有一脊状平台;该第一电极层设置于该脊状平台及该第二披覆层;该凸柱设置于该第一电极层上方;该第一反射层及该第二反射层分别设置于该第一端面及该第二端面。其中,该凸柱提供堆迭多个边射型半导体激光元件时,于相邻的两个边射型半导体激光元件之间产生一间隙。
搜索关键词: 边射型 半导体 激光 元件 制作方法 具有
【主权项】:
一种边射型半导体激光元件,其特征在于,包括有:一半导体基板,其具有包括一下表面;其中,该边射型激光元件具有一第一端面及相对于该第一端面的一第二端面,且定义有一宽度方向垂直贯穿于该第一端面与该第二端面、以及一高度方向垂直贯穿于该下表面且与该宽度方向垂直;一半导体层,形成于该半导体基板上,该半导体层包含有一边射型半导体激光电路,该边射型半导体激光电路被施加一预定电流时在该第一端面与该第二端面两者其中之一发出一激光;以及至少一凸柱,形成于该半导体层上,该凸柱于该高度方向上自该半导体层再凸伸出一预定高度,使该凸柱成为该边射型半导体激光元件于该高度方向上实质最高处。
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