[发明专利]具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110376860.1 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137675A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷;陈帆;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制造方法，包括：在HBT两侧的场氧区中，靠外边缘在部分场氧下有两个N+赝埋层；在N+赝埋层和有源区下方有匹配层；在HBT两侧的场氧区非赝埋层区域和匹配层上方有源区形成集电区；集电区采用非均匀掺杂，场氧之间纵向集电区部分重掺杂，场氧下方横向集电区部分轻掺杂；场氧下N-集电区与匹配层之间相互耗尽，形成横向耗尽区；基区窗口的尺寸等于或大于HBT有源区尺寸；基区窗口介质层采用多晶硅/氧化硅结构；发射区窗口尺寸小于有源区尺寸；发射区窗口介质层采用氮化硅/氧化硅结构；发射极采用氧化硅侧墙；在场氧中制作深孔接触，连接赝埋层，引出集电区电极。本发明提高整个器件的击穿电压，同时降低纵向PNP寄生晶体管的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 锗硅异质结 双极晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：在HBT两侧的场氧区中，靠外边缘在部分场氧下有两个N+赝埋层；在N+赝埋层和有源区下方有匹配层；在HBT两侧的场氧区非赝埋层区域和匹配层上方有源区形成集电区；集电区采用非均匀掺杂，场氧之间纵向集电区部分重掺杂，场氧下方横向集电区部分轻掺杂；场氧下N‑集电区与匹配层之间相互耗尽，形成横向耗尽区；基区窗口的尺寸等于或大于HBT有源区尺寸；基区窗口介质层采用多晶硅/氧化硅结构；发射区窗口尺寸小于有源区尺寸；发射区窗口介质层采用氮化硅/氧化硅结构；发射极采用氧化硅侧墙；在场氧中制作深孔接触，连接赝埋层，引出集电区电极。
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