[发明专利]生产多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110376882.8 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102491338A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 虞海盈 | 申请（专利权）人： | 虞海盈 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315100 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种生产多晶硅的方法，包括：将硅原料放入坩埚中，通过电子束熔化原料的顶部，形成熔融状态；在达到1500℃的熔融状态下保温，并加入造渣剂进行氧化造渣、去渣；将去渣后的硅熔液倒入容器中，并保温36小时凝固成锭；切除硅锭顶部，打磨四周、去除金属杂质，以得到低磷、低金属多晶硅锭。该法是一种适于大规模工业化、且同时达到高纯度、低成本、低污染、高效率的生产周期的多晶硅生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种生产多晶硅的方法，其特征在于：包括步骤如下：将硅原料放入坩埚中，通过电子束熔化原料的顶部，形成熔融状态；在达到1500℃的熔融状态下保温，并加入造渣剂进行氧化造渣、去渣；将去渣后的硅熔液倒入容器中，并保温36小时凝固成锭；切除硅锭顶部，打磨四周、去除金属杂质，以得到低磷、低金属多晶硅锭。
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