[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备有效
申请号: | 201110377994.5 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102479547B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 崔允熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备。在一个实施例中,一种方法包括:接收操作命令;检测公共源极线的噪声电平;以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器件 电子设备 噪声电平 接收操作命令 公共源极线 操作命令 存储单元 检测 响应 | ||
【主权项】:
1.一种操作非易失性存储器件的方法,包括:接收操作命令;检测公共源极线的噪声电平;基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行数据访问操作的次数,其中,如果所述操作命令是编程命令,则所述调整步骤基于检测的噪声电平调整对存储单元执行编程验证操作的次数,其中,所述调整包括:如果检测的噪声电平超过阈值噪声电平并且操作命令是编程命令,则进行调整以执行第一操作,即,对存储单元执行第一数量的编程验证操作,其中所述第一数量的编程验证操作中的第一次编程验证操作使用第一编程验证电压,并且在第一次编程验证操作之后的编程验证操作使用高于第一编程验证电压的第二编程验证电压,并且,如果检测的噪声电平未超过阈值噪声电平并且操作命令是编程命令,则进行调整以执行第二操作,即,对存储单元执行第二数量的编程验证操作,所述第二数量的编程验证操作使用第二编程验证电压,其中,第二数量小于第一数量,并且所述第一数量大于1。
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