[发明专利]一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法无效
申请号: | 201110378092.3 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102435557A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 王逸群;刘帆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01N21/25 | 分类号: | G01N21/25 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法。该检测芯片包括透明基底,以及形成于基底上的金属光栅耦合层,还有覆设于金属光栅耦合层上的微流体层;其制作方法为:应用激光全息光刻工艺在均匀涂抹于基底表面的光刻胶上形成条纹光栅,再利用金属镀膜工艺形成金属膜,进而剥离光刻胶得到金属光栅耦合层,将制备好的微流体层与金属光栅耦合层键合,得到目标产物。本发明将激光全息光刻工艺应用于SPR检测芯片中,在光栅的制作工艺中,能快速的、大面积的曝光,得到周期性的条纹图形,即一维光栅,进而大大的减少了工艺时间和成本,有利于工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 光栅 耦合 spr 检测 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种金属光栅耦合SPR检测芯片,其特征是,它包括:透明基底;形成于透明基底上的金属光栅耦合层,所述金属光栅耦合层上修饰有用以识别待检测样品的生物分子,且所述金属光栅耦合层的光栅周期在1000nm以下;以及,覆设于金属光栅耦合层上的微流体层,所述微流体层中分布的微流体通道与金属光栅耦合层交叉接触。
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