[发明专利]一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法无效

专利信息
申请号: 201110378195.X 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102495065A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 郭剑;魏芹芹;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N23/22
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法,涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干,将样品表面的水分子清除掉,通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通过样品表面,进行凝结操作;获取薄膜材料表面水珠在单次和多次凝结情况下的形态、数量和分布特征,确定样品表面的缺陷分布规律。本发明由于二维薄膜材料表面对水分子的吸附、凝结过程通常在毫秒的时间内完成,所以缺陷的检测非常迅速;且该方法利用去离子水蒸气,对材料表面温和,只需后续烘干即可将样品恢复至原始的状态,故该方法对待检样品是无损的。
搜索关键词: 一种 探测 二维 纳米 结构 材料 薄膜 表面 缺陷 方法
【主权项】:
一种用于探测厚度在100纳米以下的二维纳米结构材料薄膜表面缺陷分布的方法,步骤如下:1)将样品进行预先烘干,将样品表面的水分子清除掉;2)控制样品表面水蒸气的相对湿度,进行凝结和蒸发操作;3)获取薄膜材料表面的水珠在单次和多次凝结情况下的分布特征,分析并确定样品表面的缺陷分布规律。
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