[发明专利]在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备和方法无效

专利信息
申请号: 201110378608.4 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN103132021A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 甘国工 申请(专利权)人: 甘国工
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 成都立信专利事务所有限公司 51100 代理人: 江晓萍
地址: 610100 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备,设备至少有一台热蒸发沉积装置,该装置有管状加热器,与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩,置于管状加热器内的导电膜或半导体热材料包裹于芯棒上成为热蒸发的靶材管,靶材管与管状加热器间形成套管空间,在导管空间内靶材管被管状加热器加热蒸发,产生的蒸气经过套管空间流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同形成轴向的气体流出的狭缝开口,沉积在传动装置连续传送到狭缝开口附近的玻璃或金属基片上,经结晶形成导电膜或半导体膜层。本发明还公开了在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的方法。本发明能实现连续和在大面积基片上沉积导电膜或半导体材料。
搜索关键词: 基片上 沉积 导电 半导体材料 设备 方法
【主权项】:
在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备,该设备至少有一台热蒸发沉积装置,该装置有管状加热器,与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩,导电膜材料或半导体材料呈固体管状包覆于芯棒上成为热蒸发的靶材管,靶材管外表面与管状加热器内表面形成套管空间,在套管空间内靶材管被加热器加热蒸发,产生的蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口、沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上,经结晶形成导电膜或半导体膜层。
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