[发明专利]一种带隙基准源无效
| 申请号： | 201110378704.9 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102419610A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;应峰;何德军;周之栩;牟陟 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦（苏州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种带隙基准源，包括一个零阈值NMOS管MCAS、一个低噪误差放大器A0、一个基极与集电极连接成二极管形式的PNP管Q1和Q2，以及分压电阻Rs和Rf，其中该PNP管Q1和Q2的发射极分别连接分压电阻Rf的第一分压支路和分压电阻Rs、Rf相串联的第二分压支路，该低噪误差放大器的正输入端接入第一分压支路，且其负输入端接入第二分压支路的两分压电阻之间，该NMOS管MCAS的栅极与低噪误差放大器A0的输出相连，且源极与第一、第二分压支路汇聚相接为带隙基准源的输出Vbg。应用本发明技术方案，其所具有的显著优点体现为：该带隙基准源具有温度漂移小、噪声低的特点，且可以利用标准CMOS工艺实现低成本规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 | ||
【主权项】：
一种带隙基准源，其特征在于包括：一个NMOS管MCAS、一个低噪误差放大器A0、一个基极与集电极连接成二极管形式的PNP管Q1和Q2，以及分压电阻Rs和Rf，其中所述PNP管Q1和Q2的发射极分别连接分压电阻Rf的第一分压支路和分压电阻Rs、Rf相串联的第二分压支路，所述低噪误差放大器的正输入端接入第一分压支路，且其负输入端接入第二分压支路的两分压电阻之间，所述NMOS管MCAS的栅极与低噪误差放大器A0的输出相连，且源极与第一、第二分压支路汇聚相接为带隙基准源的输出Vbg。
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