[发明专利]磊晶用基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201110378822.X | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102479901A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 武东星;洪瑞华;林威廷 | 申请（专利权）人： | 李德财 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磊晶用基板，包含一个顶面，及多个自该顶面向下延伸的晶面，其中，每n个晶面构成一角锥形的凹孔，n是不小于3的正整数，每一凹孔的其中一晶面与顶面的连接线至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的连接线的间距不大于500nm，当使用本发明进行磊晶时，是自所述晶面成核后成长并聚集，而非于有应力残留或缺陷存在的顶面开始成核、成长，而可得到缺陷较少、晶体质量较佳的磊晶层体，进而提升以此磊晶用基板制作出的元件的工作效能。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶用基板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磊晶用基板，包含：一个顶面；其特征在于：所述磊晶用基板还包含多个自所述顶面向下延伸的晶面，其中，每n个晶面构成一角锥形的凹孔，n是不小于3的正整数，每一凹孔的其中一晶面与顶面的连接线至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的连接线的间距不大于500nm，而使得用所述磊晶用基板磊晶时自所述晶面成核后成长并聚集。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李德财，未经李德财许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110378822.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
