[发明专利]发光二极管结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110378993.2 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102376841A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 潘科豪 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构的制作方法如下所述。首先，提供一承载基板与配置于其上的一发光二极管芯片。发光二极管芯片具有朝向承载基板的一底面、相对于底面的至少一顶面以及与顶面相连的至少一侧壁，且发光二极管芯片具有配置于顶面上的一电极。接着，于发光二极管芯片的顶面上形成一抗氧化层。然后，施行一氧化法，以于发光二极管芯片的侧壁上形成一绝缘层。之后，移除抗氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：一发光二极管芯片，具有一底面、相对于该底面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，并具有配置于该顶面上的一电极；以及一绝缘层，配置于该侧壁上，并暴露出该电极，其中该绝缘层是利用一氧化法将该发光二极管芯片侧壁的材料进行氧化所形成。
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