[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置无效
| 申请号： | 201110379466.3 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102629587A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李润复 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板的制作方法包括：步骤S1、在基板上形成栅电极、栅线和公共电极；步骤S2、在完成步骤S1的基板上依次形成栅绝缘层和有源层；步骤S3、在完成步骤S2的基板上形成源漏电极层；步骤S4、在完成步骤S3的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；步骤S5、在完成步骤S4的基板上形成像素电极，其通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接；其中，所述形成像素电极的过程包括：初次刻蚀工艺、灰化工艺和二次刻蚀工艺。本发明通过形成具有微小图案的像素电极，提高了液晶面板的透过率和亮度，改善了斑和波纹等不良，提高了液晶面板的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、在基板上形成栅电极、栅线和公共电极；步骤S2、在完成步骤S1的基板上依次形成栅绝缘层和有源层；步骤S3、在完成步骤S2的基板上形成源漏电极层；步骤S4、在完成步骤S3的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；步骤S5、在完成步骤S4的基板上形成像素电极，所述像素电极通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接；其中，所述形成像素电极的过程包括：初次刻蚀工艺、灰化工艺和二次刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
