[发明专利]防止晶圆表面形成固体颗粒的方法有效
| 申请号： | 201110379486.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394222A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李占斌;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，包括：在采用二氯硅烷作反应物形成氧化硅层或氮化硅层的薄膜后，在反应腔体内通入第一气体，除去所述反应腔体内残留的二氯硅烷；向所述反应腔体通入第二气体，除去反应腔体内表面沉积的薄膜。利用第一气体除去反应腔体中的残余的二氯硅烷，不会形成有固体颗粒并附着在所述反应腔体内表面，不会在下一次沉积薄膜时，在沉积形成的薄膜表面形成有固体颗粒，且通过降温通入第二气体，使得所述反应腔体内表面的薄膜能被气流剥落掉，不会掉落在下一次沉积的晶圆表面。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 表面 形成 固体 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，包括：在采用二氯硅烷作反应物形成氧化硅层或氮化硅层的薄膜后，在反应腔体内通入第一气体，除去所述反应腔体内残留的二氯硅烷；向所述反应腔体通入第二气体，除去反应腔体内表面沉积的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
