[发明专利]检测光刻胶缺陷的方法有效
| 申请号： | 201110379496.4 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102496586A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 胡林 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种检测光刻胶缺陷的方法，包括：提供半导体晶圆，涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行前测，统计缺陷数量，得到前值；按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆；对所述光刻胶进行后测，统计缺陷数量，得到后值；比较前值和后值，判断所述光刻胶是否合格。所述参照时间和参照温度由参数确定实验确定。本发明的检测光刻胶缺陷的方法快捷有效，节省时间，并且大大的节省了整个工艺成本和缩短了工艺周期。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 光刻 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，包括：提供半导体晶圆；在半导体晶圆上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行前测，统计缺陷数量，得到前值；按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆；对所述光刻胶进行后测，统计缺陷数量，得到后值；比较所述前值和后值之差，判断所述光刻胶是否合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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