[发明专利]用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统有效
申请号: | 201110379539.9 | 申请日: | 2011-11-04 |
公开(公告)号: | CN103088316A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 吴啸;冯金良;梁浩;周斌 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B08B13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;高为 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统,属于半导体薄膜沉积设备的清洗技术领域。该加排液系统包括:气化容器、加液容器、以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路;其中,所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态。该加排液系统安全性好、操作员工劳动强度低、系统寿命长并且运行可靠性好,其运行可以不终止半导体薄膜沉积设备的运行。 | ||
搜索关键词: | 用于 清洗 半导体 薄膜 沉积 设备 化学 溶液 加排液 系统 | ||
【主权项】:
一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统,其特征在于,包括:气化容器,其用于盛放所述化学溶液并将所盛放的化学溶液的溶质气化;加液容器,其用于盛放所述气化容器所需补充的化学溶液;以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路;其中,所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态;工作于清洗状态时,所述第一管路用于将第一气体导入至所盛放的化学溶液中以气化该化学溶液中的溶质,所述第二管路用于排出包含该溶质的气体以清洗所述半导体薄膜沉积设备;工作于废液排除状态时,所述第一管路用于导入第一气体以增大所述气化容器的内部压力进而将所述气化容器中的废液经由所述第三管路中排出;工作于加液状态时,所述第四管路用于抽出所述气化容器中的气体以减小所述气化容器的内部压力进而将所述加液容器中的化学溶液经由所述第五管路流入所述气化容器中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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