[发明专利]用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统有效

专利信息
申请号: 201110379539.9 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN103088316A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 吴啸;冯金良;梁浩;周斌 申请(专利权)人: 无锡华润华晶微电子有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;B08B13/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 唐立;高为
地址: 214028 江苏省无锡市国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统,属于半导体薄膜沉积设备的清洗技术领域。该加排液系统包括:气化容器、加液容器、以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路;其中,所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态。该加排液系统安全性好、操作员工劳动强度低、系统寿命长并且运行可靠性好,其运行可以不终止半导体薄膜沉积设备的运行。
搜索关键词: 用于 清洗 半导体 薄膜 沉积 设备 化学 溶液 加排液 系统
【主权项】:
一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统,其特征在于,包括:气化容器,其用于盛放所述化学溶液并将所盛放的化学溶液的溶质气化;加液容器,其用于盛放所述气化容器所需补充的化学溶液;以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路;其中,所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态;工作于清洗状态时,所述第一管路用于将第一气体导入至所盛放的化学溶液中以气化该化学溶液中的溶质,所述第二管路用于排出包含该溶质的气体以清洗所述半导体薄膜沉积设备;工作于废液排除状态时,所述第一管路用于导入第一气体以增大所述气化容器的内部压力进而将所述气化容器中的废液经由所述第三管路中排出;工作于加液状态时,所述第四管路用于抽出所述气化容器中的气体以减小所述气化容器的内部压力进而将所述加液容器中的化学溶液经由所述第五管路流入所述气化容器中。
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