[发明专利]铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110379555.8 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102491745A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 董显林;廖婉芳;梁瑞虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料及其制备方法，所述铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料包括交替层叠的钛酸锶钡层和含镁化合物层，其中，所述钛酸锶钡层的化学组成为Ba1-xSrxTiO3，且式中0.35≤x≤0.60，所述含镁化合物层包括MgO、MgTiO3、MgZrO3、MgZrSrTiO3和MgAl2O4中的任意一种或几种。通过复合含镁化合物层，有效降低了复合材料的介电常数，由于钛酸锶钡层和含镁化合物层交替层叠，例如优选并联2-2型结构，可很好地保持钛酸锶钡层的高介电调谐性。 | ||
| 搜索关键词： | 非铁电 复合 柱状 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料，其特征在于，包括交替层叠的钛酸锶钡层和含镁化合物层，其中，所述钛酸锶钡层的化学组成为Ba1‑xSrxTiO3，且式中0.35≤x≤0.60，所述含镁化合物层包括MgO、MgTiO3、MgZrO3、MgZrSrTiO3和MgAl2O4中的任意一种或几种。
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