[发明专利]用于曝光工艺的对准标记的制作方法有效
| 申请号： | 201110379678.1 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394234A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 邓咏桢;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体曝光工艺对准标记的制作方法，包括提供半导体基底；在半导体基底中形成第一沟槽；在形成有第一沟槽的半导体基底上淀积第一介质层，第一介质层填满所述第一沟槽；进行化学机械研磨，且过研磨直至第一沟槽内的第一介质层表面形成凹陷；形成层间介质层；在层间介质层中形成第二沟槽，第二沟槽完全露出第一沟槽内的所述第一介质层，且第二沟槽的开口大于所述第一沟槽的开口；形成流淌层。本发明的对准标记的制作方法能够完全结合在半导体器件尤其是功率器件的制造工艺中进行，不需要引入新的工艺步骤和新的工艺参数的要求，就能实现在流淌性比较好的介质层中形成清晰的、能够被曝光机识别的对准标记，让后续的工艺能顺利的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 曝光 工艺 对准 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
一种对准标记的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底中形成第一沟槽；在所述形成有第一沟槽的半导体基底上淀积第一介质层，所述第一介质层填满所述第一沟槽；进行化学机械研磨，且过研磨直至所述第一沟槽内的所述第一介质层表面形成凹陷；形成层间介质层；在所述层间介质层中形成第二沟槽，所述第二沟槽完全露出所述第一沟槽内的第一介质层，且所述第二沟槽的开口大于所述第一沟槽的开口；形成流淌层。
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