[发明专利]一种硅通孔工艺无效
| 申请号： | 201110379863.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376642A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅通孔工艺，包括：提供包含正面和背面的硅片，在所述硅片上形成深沟槽；将所述硅片的正面与第一硅片载体连接，将所述硅片的背面减薄至所述深沟槽的底部露出，形成硅通孔；对所述硅片进行清洗；将所述硅片的背面与第二硅片载体连接，去除所述第一硅片载体；在所述硅片的正面上依次形成绝缘层、阻挡层以及铜种子层；通过电镀铜的方法填充所述硅通孔；在电镀的铜上连接第三硅片载体，去除所述第二硅片载体，在所述硅片的背面电镀铜；去除所述第三硅片载体。本发明提供的硅通孔工艺，将硅片的背面减薄至深沟槽的底部露出，形成硅通孔，对硅片进行清洗，能够更好的去除硅通孔内的聚合物和颗粒，从而提高了硅通孔的可靠性，最终提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅通孔工艺，其特征在于，包括：提供包含正面和背面的硅片，在所述硅片上形成深沟槽；将所述硅片的正面与第一硅片载体连接，将所述硅片的背面减薄至所述深沟槽的底部露出，形成硅通孔；对所述硅片进行清洗；将所述硅片的背面与第二硅片载体连接，去除所述第一硅片载体；在所述硅片的正面上依次形成绝缘层、阻挡层以及铜种子层；通过电镀铜的方法填充所述硅通孔；在电镀的铜上连接第三硅片载体，去除所述第二硅片载体，在所述硅片的背面电镀铜；去除所述第三硅片载体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
