[发明专利]一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法无效
申请号: | 201110380033.X | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102437236A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 夏洋;刘邦武;钟思华;李超波;李勇滔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,属于晶体硅太阳能电池制备技术领域。所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入二氧化硅沉积溶液中,在黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明通过液相沉积二氧化硅的方法,在黑硅硅片表面镀上一层均匀的高质量二氧化硅薄膜,从而较好地钝化了黑硅表面的悬挂键,有效地提高了黑硅太阳能电池的少子寿命和开路电压,提高了黑硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】:
一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,其特征在于,所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入所述二氧化硅沉积溶液中,在所述黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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