[发明专利]一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法无效

专利信息
申请号: 201110380033.X 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102437236A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 夏洋;刘邦武;钟思华;李超波;李勇滔 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,属于晶体硅太阳能电池制备技术领域。所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入二氧化硅沉积溶液中,在黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明通过液相沉积二氧化硅的方法,在黑硅硅片表面镀上一层均匀的高质量二氧化硅薄膜,从而较好地钝化了黑硅表面的悬挂键,有效地提高了黑硅太阳能电池的少子寿命和开路电压,提高了黑硅太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 表面 钝化 方法
【主权项】:
一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,其特征在于,所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入所述二氧化硅沉积溶液中,在所述黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。
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