[发明专利]耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110380151.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102490426A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 董占林;张俊丽;任小龙 | 申请（专利权）人： | 桂林电器科学研究院 |
| 主分类号： | B32B27/28 | 分类号： | B32B27/28;B32B27/18;C08G73/10 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜为三层结构，具体包括一聚酰亚胺基础层，以及分别位于所述聚酰亚胺基础层上表面和下表面上的两层耐电晕聚酰亚胺层；构成聚酰亚胺基础层的组分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯基醚和二甲基乙酰胺；构成耐电晕聚酰亚胺层的组分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯基醚、二甲基乙酰胺和耐电晕填料；在每一层耐电晕聚酰亚胺层中，基于该层耐电晕聚酰亚胺层的干重含有耐电晕填料5～50％。与现有技术相比，本发明所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜能够在具备良好耐电晕性的同时也具备良好的机械性能，且工艺简单易控，成膜性好，提高了生产效率、产品收率高。 | ||
| 搜索关键词： | 电晕 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
耐电晕聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜(1)为三层结构，具体包括一聚酰亚胺基础层(1‑1)，以及分别位于所述聚酰亚胺基础层(1‑1)上表面和下表面上的两层耐电晕聚酰亚胺层(1‑2)；其中：所述构成聚酰亚胺基础层(1‑1)的组分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’‑二氨基二苯基醚和二甲基乙酰胺；所述构成耐电晕聚酰亚胺层(1‑2)的组分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’‑二氨基二苯基醚、二甲基乙酰胺和耐电晕填料；在每一层耐电晕聚酰亚胺层(1‑2)中，基于该层耐电晕聚酰亚胺层(1‑2)的干重含有耐电晕填料5～50％。
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