[发明专利]图像传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110382619.X 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102437169A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 赵立新;霍介光 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种图像传感器的制作方法,包括:提供芯片衬底,芯片衬底的第一面包括至少一个具有多个感光单元的感光单元阵列,并且第一面上形成有介质层;部分刻蚀介质层,以形成位于感光单元阵列的多个感光单元的至少部分边界上的多个第一沟槽;采用第一热塑材料将芯片衬底的第一面粘合在支持衬底上;对芯片衬底的第二面进行背面磨削以将芯片衬底减薄至中间厚度;对支持衬底加热至第一预定温度以软化第一热塑材料,并将芯片衬底减薄至预定厚度;对支持衬底加热至第二预定温度以软化第一热塑材料,并从芯片衬底的第二面部分刻蚀芯片衬底以形成多个与第一沟槽连通的第二沟槽,从而使得感光单元阵列中的至少部分感光单元相互分离。
搜索关键词: 图像传感器 制造 方法
【主权项】:
一种图像传感器的制作方法,包括下述步骤:a.提供芯片衬底,所述芯片衬底的第一面包括至少一个具有多个感光单元的感光单元阵列,并且所述第一面上形成有介质层;b.部分刻蚀所述介质层,以形成位于所述感光单元阵列的多个感光单元的至少部分边界上的多个第一沟槽;c.采用第一热塑材料将所述芯片衬底的第一面粘合在支持衬底上;d.对所述芯片衬底的第二面进行背面磨削以将所述芯片衬底减薄至中间厚度;e.对所述支持衬底加热至第一预定温度以软化所述第一热塑材料,并将所述芯片衬底减薄至预定厚度;f.对所述支持衬底加热至第二预定温度以软化所述第一热塑材料,并从所述芯片衬底的第二面部分刻蚀所述芯片衬底以形成多个与所述第一沟槽连通的第二沟槽,从而使得所述感光单元阵列中的至少部分感光单元相互分离。
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