[发明专利]获取ZnSe/ZnS光学基元的方法有效
申请号: | 201110383143.1 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102477579A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 吴志新;宗杰;甘硕文;赵晓龙;林峰;张弢;加里宾.E.A;古谢夫.P.E;杰米坚科.A.A;杜纳耶夫.A.A;米罗诺夫.I.A | 申请(专利权)人: | 天津津航技术物理研究所 |
主分类号: | C30B23/02 | 分类号: | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/46;H01L31/18 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 李烨 |
地址: | 300308*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明属于光学材料工艺领域,是一种获取多晶体光学材料的方法。具体是获取ZnSe/ZnS光学基元的方法。本方法是:以真空提纯的方式,在硒化锌衬底表面沉积硫化锌,在坩埚内对硫化锌粉体进行预煅烧,时间1.5~3h,温度高于沉积温度20~50℃,冷却后将表面抛光的硒化锌平板放入坩埚,在硫化锌蒸汽温度达到1000~1080℃时,以真空蒸汽(速度为0.02~0.1mm/h)的方式完成硫化锌保护涂层的沉积。创新点:降低光学过过渡层的杂质,降低过渡层对光的损失,并提高叠层ZnSe/ZnS材料在可见、红外光谱范围内的透射性能。所获得的光学材料可用于光学仪器保护窗和窗口,使其可以在高温、雨滴和和灰尘的环境中工作。 | ||
搜索关键词: | 获取 znse zns 光学 方法 | ||
【主权项】:
一种获取ZnSe/ZnS光学基元的方法,包括:通过真空提纯的方式在硒化锌衬底上沉积硫化锌的步骤,其特征在于:包括如下步骤:在坩埚内对硫化锌粉体进行预煅烧,煅烧时间1.5~3h,温度要比接下来蒸发的温度高20~50℃;冷却后将表面抛光的硒化锌平板放入坩埚内,在硫化锌蒸汽温度为1000~1080℃的情况下,通过真空蒸汽的方式完成硫化锌保护层的沉积。
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