[发明专利]结合快复管的IGBT器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201110383511.2 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN103137472A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 王海军 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/331 分类号: H01L21/331
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 孙大为
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种结合快复管的IGBT器件制造方法,包括以下步骤:进行沟槽栅的曝光定义,成长掺杂N型多晶硅;对多晶栅进行刻蚀,正面进行源和P阱的注入和推阱;背面进行硅片减薄;进行背面磷离子注入;进行背面磷离子高温长时间推阱;对背面进行挖沟槽;对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶;背面进行集电极B的注入;背面进行集电极B的推阱;进行集电极的蒸金。本发明比现有的绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的衬底浓度更浓一些,成本更低,这样的话比一般的绝缘栅双极型晶体管IGBT的PNP基极宽度更小,通态电阻更小,产生的焦耳热更小,承受同等耐压的前提下,关态时,下降延迟时间更短,能承受的短路电流更大。
搜索关键词: 结合 快复管 igbt 器件 制造 方法
【主权项】:
一种结合快复管的IGBT器件制造方法,其特征在于,包括以下步骤:进行沟槽栅的曝光定义,成长掺杂N型多晶硅;对多晶栅进行刻蚀,正面进行源和P阱的注入和推阱;背面进行硅片减薄;进行背面磷离子注入;进行背面磷离子高温长时间推阱;对背面进行挖沟槽;对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶;背面进行集电极B的注入;背面进行集电极B的推阱;进行集电极的蒸金。
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