[发明专利]结合快复管的IGBT器件制造方法有效
| 申请号： | 201110383511.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137472A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结合快复管的IGBT器件制造方法，包括以下步骤：进行沟槽栅的曝光定义，成长掺杂N型多晶硅；对多晶栅进行刻蚀，正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行硅片减薄；进行背面磷离子注入；进行背面磷离子高温长时间推阱；对背面进行挖沟槽；对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶；背面进行集电极B的注入；背面进行集电极B的推阱；进行集电极的蒸金。本发明比现有的绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的衬底浓度更浓一些，成本更低，这样的话比一般的绝缘栅双极型晶体管IGBT的PNP基极宽度更小，通态电阻更小，产生的焦耳热更小，承受同等耐压的前提下，关态时，下降延迟时间更短，能承受的短路电流更大。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 快复管 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结合快复管的IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：进行沟槽栅的曝光定义，成长掺杂N型多晶硅；对多晶栅进行刻蚀，正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行硅片减薄；进行背面磷离子注入；进行背面磷离子高温长时间推阱；对背面进行挖沟槽；对背面沟槽里成长高掺杂的N型多晶；背面进行集电极B的注入；背面进行集电极B的推阱；进行集电极的蒸金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
