[发明专利]一种光刻机之间的工艺匹配方法有效
| 申请号： | 201110384018.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102445858A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑;毛智彪;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻机之间的工艺匹配方法，其步骤包括：1）在同一片掩模板上设计各种1D，2D图形；2）第一光刻机利用所述掩模板曝光一片基准晶圆；3）量测所设计的图形尺寸作为基准数据；4）第二光刻机使用同一片掩模板曝光相同参数晶圆；5）将第二光刻机量测数据与第一光刻机量测数据比较，得到数据吻合的参数；6）两台光刻机得到的尺寸一致，建立了两台光刻机的匹配基准。本发明减少了生产费用和工作时间，使不同光光刻机曝光的图形尺寸都能达到一样，保证质量，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 之间 工艺 匹配 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻机之间的工艺匹配方法，其特征在于：其具有以下步骤：1）在同一片掩模板上设计各种1D，2D图形；2）第一光刻机利用所述掩模板曝光一片基准晶圆；3）量测所设计的图形尺寸作为基准数据；4）第二光刻机使用同一片掩模板曝光相同参数晶圆；5）将第二光刻机量测数据与第一光刻机量测数据比较，得到数据吻合的参数；6）两台光刻机得到的尺寸一致，建立了两台光刻机的匹配基准。
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