[发明专利]具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路

摘要

本发明提出一种铜互连冗余通孔填充及双大马士革制造工艺，采用埋层冗余通孔介电刻蚀阻挡层工艺制作含有部分刻蚀冗余通孔的双大马士革结构，在部分传统制造工艺无法填充冗余通孔的区域添加冗余通孔，特别是可以在以前很多无法填充冗余通孔的孤立通孔周围添加冗余通孔，提高了光刻和刻蚀通孔的密度及密度均匀性，进而能够改善通孔光刻和刻蚀的均匀性，增加通孔光刻和刻蚀工艺窗口。

主权项

一种具有部分冗余通孔的集成电路制作方法，在于形成具有双大马士革工艺的集成电路，该方法具有以下步骤：第一步：在半导体基体(1)上的第一金属层(2)上依次沉积第一介电刻蚀阻挡层(3)，以作为互连通孔刻蚀阻挡层；沉积第一介电层(4)；沉积第二介电刻蚀阻挡层(5)；第二步：光刻和蚀刻所述的第二介电刻蚀阻挡层(5)，以便在均匀形成冗余通孔D的预定位置形成冗余通孔刻蚀阻挡层(6)；第三步：沉积第二介电层(7)以及介电保护层(8)，使得所述的冗余通孔刻蚀阻挡层(6)在所述的第一介电层(4)和所述的第二介电层(7)之间；第四步：光刻和刻蚀制作互连全通孔(9)以及冗余通孔(D)，所述的冗余通孔(D)在集成电路上均匀分布且与所述的冗余通孔刻蚀阻挡层(6)位置相对应，所述的冗余通孔(D)止于所述的冗余通孔刻蚀阻挡层(6)，然后光刻和刻蚀制作互连线金属(11)和冗余金属(DM)的沟槽，并打开所述的互连全通孔(9)底部的所述的第一介电刻蚀阻挡层(3)，形成双大马士革结构；或者光刻和刻蚀制作互连线金属(11)和冗余金属(DM)的沟槽，然后，光刻和刻蚀制作互连全通孔(9)以及冗余通孔(D)，所述的冗余通孔(D)止于所述的冗余通孔刻蚀阻挡层(6)，并打开所述的互连全通孔(9)底部的所述的第一介电刻蚀阻挡层(3)所述的冗余通孔(D)在集成电路上均匀分布且与所述的冗余通孔刻蚀阻挡层(6)位置相对应，形成双大马士革结构；第五步：依次沉积金属阻挡层、铜籽晶层、电镀填充金属铜，以及化学/机械研磨平坦化去除多余金属至第二介电层(7)，最终形成具有互连线金属(11)及所述的冗余金属(DM)的第二金属层(10)。