[发明专利]一种萤石型涂层导体缓冲层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110386230.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102491748A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金利华;卢亚锋;冯建情;高玲;于泽铭;李成山 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种萤石型涂层导体缓冲层，该缓冲层的化学组成为MnxHf1-xO2，其中0.2≤x≤0.3。本发明还公开了该缓冲层的制备方法，方法为：一、将乙酰丙酮锰和乙酰丙酮铪按比例称取后溶解于丙酸，配制成前驱液；二、将前驱液旋涂于基底上，置于管式炉中，在还原性气氛中，以不低于25℃/min的升温速率将炉内温度从室温升至900℃～1050℃，并保温0.2h～1h，随炉冷却至室温，得的萤石型MnxHf1-xO2缓冲层。本发明采用常规简单的金属盐配制前驱液，简化了前驱液配制条件，旋涂前驱液后采用一步快速热处理的制备方法，简化了制备工艺，可实现MnxHf1-xO2缓冲层的低成本、大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 萤石 涂层 导体 缓冲 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种萤石型涂层导体缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为MnxHf1‑xO2，其中0.2≤x≤0.3。
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