[发明专利]带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法

摘要

本发明公开一种薄膜测试技术领域的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，步骤：在玻璃基片上旋甩光刻胶作为牺牲层并前烘，在牺牲层上溅射金属Ti层并做表面活化处理用作种子层，在种子层上进行甩胶、曝光、显影，根据掩模版设计的微拉伸试样层形状，实现其光刻胶结构的图形化；在表面活化的Ti层上电镀Cu-TSV试样层；在Cu-TSV镀层上进行支撑框架层的电化学沉积；最后去除光刻胶图形化层、Ti溅射层、牺牲层，得到独立的带有网状支撑框架的悬空Cu-TSV微拉伸试样。本发明制备的微拉伸试样有效降低了薄膜应力，结构简单，易于制备，成本低，实现了Cu-TSV薄膜的原位独立拉伸，有利于微拉伸精准测试。

主权项

一种带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，制作微拉伸试样掩模版，分为Cu‑TSV试样层掩模版及支撑框架层掩模版；第二步，在玻璃基片上旋涂光刻胶作为牺牲层，并进行前烘处理；第三步，在光刻胶牺牲层上溅射金属Ti层，做Ti表面活化处理，并将基片烘干；第四步，在表面活化处理的Ti层上旋涂光刻胶，然后将玻璃基片依次通过曝光、显影处理，根据掩模版设计的微拉伸试样形状，实现微拉伸试样层的光刻胶结构的图形化；第五步，在图形化的光刻胶层上采用电化学沉积技术，得到Cu‑TSV微拉伸试样层；第六步，将制得的微拉伸试样层进行清洗并烘干，随后再在其上依次进行胶上甩胶、曝光、显影处理，根据掩膜版设计的支撑框架形状，实现支撑框架层的光刻胶结构的图形化，并采用电化学沉积技术电镀得到支撑框架层；第七步，去除光刻胶、刻蚀Ti溅射层，并去除底层光刻胶牺牲层，得到与基底分离的独立的带有网状支撑框架的悬空Cu‑TSV微拉伸试样。