[发明专利]一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法无效
| 申请号： | 201110386886.4 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437106A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪;胡友存;陈玉文;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，包括：在一基底上生长一接触孔/通孔复合结构从下至上依次为：刻蚀阻挡层、绝缘介质层、第一介质抗反射层；在所述第一介质抗反射层表面覆盖一层第一底部抗反射层及第一光刻胶，进行第一次光刻；去除所述第一底部抗反射层及光刻胶，形成受损第一介质抗反射层；去除所述受损第一介质抗反射层；在所述绝缘介质层上重新淀积一层第二介质抗反射层；在所述第二介质抗反射层表面淀积一层第二底部抗反射层，并在其表面涂敷一层第二光刻胶，进行第二次光刻。本发明可以高稳定性和重复性的实现返工，可以增大研发过程中晶片材料的循环使用次数，提高利用率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 接触 多次 光刻 重复性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一基底上生长一接触孔/通孔复合结构，所述复合结构从下至上依次为：刻蚀阻挡层、绝缘介质层、第一介质抗反射层；步骤S2：在所述第一介质抗反射层表面覆盖一层第一底部抗反射层，在所述第一底部抗反射层表面旋涂一层第一光刻胶，进行第一次光刻；步骤S3: 去除所述第一底部抗反射层及光刻胶，损害了所述第一介质抗反射层，形成受损第一介质抗反射层；步骤S4：刻蚀去除所述受损第一介质抗反射层；步骤S5：在所述绝缘介质层表面重新淀积一层第二介质抗反射层；步骤S6：在所述第二介质抗反射层表面重新淀积一层第二底部抗反射层，在所述第二底部抗反射层表面涂敷一层第二光刻胶，进行第二次光刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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