[发明专利]一种用于等离子体侦测的装置无效
| 申请号： | 201110386891.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543788A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李程;张瑜;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体侦测的装置。本发明一种用于等离子体侦测的装置，通过采用朗缪尔静电探针为探测器传感器，并在其外壳外部设置抗干扰层，能够实时准确的获取等离子体内部的特征参数的分布函数，且具有多点侦测、精度高但无杂质引入、非对称流动干扰低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 侦测 装置 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体侦测的装置，包括设置有等离子体的等离子体发生腔体，其特征在于，还包括：一设置于该等离子体发生腔体内的探测传感器，以用于侦测等离子体的特征参数；其中，该探测传感器的外壳外部设置有与所述等离子材质相同的抗干扰层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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