[发明专利]具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池

摘要

一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池，是以印刷方式形成屏蔽，然后使用湿蚀刻或干蚀刻在一硅半导体基板上蚀刻出弯曲状沟槽的方法；操作时，以印刷方式形成的屏蔽作为阻挡蚀刻剂对覆盖屏蔽的硅半导体基板区域蚀刻，并使未受屏蔽覆盖的硅半导体基板区域受蚀刻剂蚀刻，以此产生具有图样的数条弯曲状沟槽。藉此，本发明以湿式或干式蚀刻出数条弯曲状沟槽，在制程上不易引起破片，且其深度可较传统直线形沟槽为深，更能形成较长波长光能转换成的电子被电极收集的效率较大的情况，为可以量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，其制程容易，设备成本低，更能制作具有较高性能的太阳能电池。

主权项

一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽；其中，所述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米；所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由数条直线线段构成，至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段，且在该硅半导体基板相邻导流排之间的至少一个1平方公分的正方形完整面积内至少具有一条直线的转折，该转折形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间的角度。