[发明专利]一种太阳电池背面钝化层的制备方法无效
| 申请号： | 201110387789.7 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102394260A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 路忠林;李丽;吴昕;许佳平;刘林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池背面钝化层的制备方法，它包括如下步骤：(1)按照后期需要的背面电极的形状，制作掩膜；(2)将掩膜置于待钝化的太阳电池硅片背面，然后再采用常规钝化方法，在硅片背面沉积钝化层后，将硅片与掩膜分离即可。采用本发明制备方法，省去了对钝化层的开口工艺，极大的节约了太阳能电池的生产成本，同时，经该钝化方法最终得到的太阳能电池，保证了较高的转化效率，其效率与现有背面钝化电池相当。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 背面 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池背面钝化层的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：(1)按照后期需要背面电极的形状，制作掩膜；(2)将掩膜置于待钝化的太阳电池硅片背面，然后再采用常规钝化方法，在硅片背面沉积钝化层后，将硅片与掩膜分离即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司，未经天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110387789.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
